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《半导体信息》2020年04期

 
目录
企业指南
工信部公布“芯片”重大举措1国内外半导体技术与器件
氮化镓挑起半导体界的大梁 进入倒计时1-2
GaN路线之争再起波澜3-6
黑科技氮化镓异质集成芯片问世 号称成突破摩尔定律有效技术路径6-7
为碳化硅开辟新应用领域 英飞凌62mm CoolSiCTM模块问市7-8
安森美推出1200V碳化硅功率模块8
碳化硅(sic)功率器件及其在航天电子产品中的应用前景展望8-10
埃赋隆推出“突破性”Si LDMOS器件 在VHF和UHF应用中效率达到80%10
采用Wolfspeed第三代650V SiC MOSFET突破电源效率屏障10-13
Vishay推出新款30V MOSFET半桥功率级模块输出电流提高11%13
Vishay推出业内最低导通电阻的-30VP沟道MOSFET可提高能效和功率密度13-14
5G毫米波芯片有了新进展 未来市场前景可期14-16
5G毫米波展现惊人潜力 高通已走在前列16-17
杭州电子科技大学成功研发毫米波通信芯片17-18
瑞萨电子推出面向4G/5G基础设施系统的新型射频放大器18-19
Soitec联手Qualcomm为5G射频滤波器大规模生产POI衬底19-20
台积电将推出4nm芯片制程工艺20
台积电2纳米取得突破:传将采用GAA技术或2023~2024年投产20-21
三星半导体死磕台积电:将放弃4纳米工艺直接过渡到3纳米21-23市场动态
全球半导体销售额今年预计增长3.3%23-24
预计第三代功率半导体2021年市场将突破10亿美元24-25
2018-2024年碳化硅功率模块复合年增长率将以48%的速度快速增长25-26
射频/微波将在2021年引领功率晶体管的复苏26-27
功率器件需求暴增 SiC前景看好27-28
2020年砷化镓射频厂商整体营收衰退3.8%29
上半年十大半导体厂商英特尔第一 海思首入十强29-30
超越英特尔 英伟达成为全球第三大半导体生产商30
国际SiC巨头的军备竞赛30-34
Cree加速扩充SiC产能34-36
解析GaN和SiC功率半导体市场格局的变化36-39
群雄竞逐氮化镓市场39-40
Ⅱ-Ⅵ宣布收购Ascatron和INNOViON40
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